[发明专利]适用于CMOS结构的无残留构图层形成方法有效
| 申请号： | 200880015367.3 | 申请日： | 2008-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101849278A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | M·P·胡齐克;B·B·多里斯;W·K·汉森;阎红雯;张郢 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成微电子结构的方法使用位于目标层上方的掩模层。可使用掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻目标层，以由目标层形成端部锥形的目标层。可将额外目标层形成在端部锥形的目标层上方，且被额外掩模层所掩蔽。可蚀刻额外目标层，以形成构图的额外目标层，其与端部锥形的目标层分隔，并且邻近端部锥形的目标层没有额外目标层残留。本方法可用于制造这样的CMOS结构，该CMOS结构所包括的nFET与pFET栅极电极具有不同的nFET与pFET栅极电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 cmos 结构 残留 构图 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成构图层的方法，包括：在位于衬底上方的目标层上方形成掩模层；以及使用所述掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻所述目标层，以提供位于所述衬底上方的锥形目标层，所述锥形目标层具有相对于所述衬底的平面的从约30度至约80度的端部锥形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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