[发明专利]抑制因切割和BEOL处理引起的IC器件损伤的方法有效
| 申请号： | 200880015377.7 | 申请日： | 2008-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101681890A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | M·G·法鲁克;R·汉农;M·W·莱恩;刘小虎;I·D·W·梅尔维尔;T·M·肖 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体产品包括具有顶表面和底表面并包括半导体芯片的半导体衬底。半导体衬底具有顶表面和周界。阻挡结构形成于周界内的芯片上。极深隔离沟槽(UDIT)切入芯片顶表面中且在其中向下延伸到周界与阻挡层之间。在形成阻挡层和UDIT之前，在衬底上形成具有低k的pSiCOH介电层与硬掩模层的ILD结构。在UDIT的外侧，ILD结构的互连结构被向下凹陷到衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 切割 beol 处理 引起 ic 器件 损伤 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体产品，其包括：半导体衬底(12)，其具有顶表面(18)和底表面(19)且包括半导体芯片(10A/10B)；所述半导体衬底(12)具有顶表面(18)和周界(110)；阻挡结构(50B)，其形成于所述周界(110)内的所述芯片(10A/10B)中；以及沟槽切口(60B)，其向下延伸穿过所述周界(110)与所述阻挡结构(50B)之间的所述半导体芯片(10A/10B)的所述顶表面(18)。
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