[发明专利]具有气体混合的离子源的效能改良与生命期延长的技术有效
| 申请号： | 200880015524.0 | 申请日： | 2008-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101681782A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 阿塔尔·古普塔 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/317;H01J27/00;H01J37/32;H01L21/265;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示具有气体混合的离子源(202a)的效能改良与生命期延长的技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可实现为离子注入机中的离子源的效能改良与生命期延长的方法。所述方法可包含将预定量的掺杂气体导入离子源腔室(202)内。所述掺杂气体可包含掺杂物质。所述方法亦可包含将预定量的稀释气体导入离子源腔室内。所述稀释气体可稀释掺杂气体以改良离子源的效能并延长离子源的生命期。所述稀释气体可进一步包含与掺杂物质相同的协同物质。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 气体 混合 离子源 效能 改良 生命 延长 技术 | ||
【主权项】：
1、一种使离子注入机中的离子源的效能改良及生命期延长的方法，所述方法包含：将预定量的掺杂气体导入离子源腔室，其中所述掺杂气体包含掺杂物质；及将预定量的稀释气体导入所述离子源腔室，其中所述稀释气体稀释所述掺杂气体以改良所述离子源的效能并延长所述离子源的生命期。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司，未经瓦里安半导体设备公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880015524.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
