[发明专利]反相器制造方法和反相器有效
| 申请号： | 200880015916.7 | 申请日： | 2008-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101681927A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 大藤将人;安部胜美;林享;佐野政史;云见日出也 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了提供可被容易地制造的增强-耗尽(E/D)反相器，在本发明中，提供包含在同一基板上形成的、沟道层包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素的氧化物半导体的反相器的制造方法，该反相器是具有多个薄膜晶体管的E/D反相器，该制造方法的特征在于包括以下步骤：形成第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的沟道层的厚度互不相同；以及对于第一晶体管和第二晶体管的沟道层中的至少一个执行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 反相器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有在同一基板上形成的多个薄膜晶体管的增强-耗尽(E/D)反相器的方法，所述晶体管的沟道层包含氧化物半导体，所述氧化物半导体包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，并且，所述方法包括以下步骤：形成第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道层的厚度互不相同；以及对于所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道层中的至少一个执行热处理。
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