[发明专利]含有隐埋集电极的光电晶体管无效
| 申请号： | 200880016260.0 | 申请日： | 2008-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101681954A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李炳洙 | 申请（专利权）人： | （株）赛丽康 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 朦;王艳春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了应用于图像传感器的光电晶体管。该光电晶体管通过包括隐埋集电极，能够减少产生在光电晶体管中的暗电流和提高弱光下的灵敏度，而且不会干扰相邻像素或产生图像延迟。在包括隐埋集电极的光电晶体管中，因为集电极不直接连接外部，所以该光电晶体管有低的暗电流和弱光下的高光敏特性。因为每个图像传感器都是独立的，所以不会产生像素间的干扰和图像延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 集电极 光电晶体管 | ||
【主权项】：
1.包含隐埋集电极的光电晶体管，所述光电晶体管包括：第一传导的发射极；第二传导的基极；和隐埋在所述基极中的第一传导的集电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
