[发明专利]用于CPM后清除配方的新抗氧化剂有效
| 申请号： | 200880016457.4 | 申请日： | 2008-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101720352A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;杰弗里·巴尔内斯;普雷尔那·森塔利亚;埃马努埃尔·库珀;卡尔·博格斯 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | C11D1/00 | 分类号： | C11D1/00;C11D1/62;C11D3/30;C09K13/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张颖;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于从其上带有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子装置中清除所述残留物和污染物的清除组合物和方法。该清除组合物含有新型缓蚀剂。该组合物实现了CMP后残留物和污染物材料从微电子装置表面上的高度有效的清除，而不损害低k介电材料或铜互连材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cpm 清除 配方 抗氧化剂 | ||
【主权项】：
一种清除组合物，其包含至少一种溶剂、至少一种缓蚀剂和至少一种胺，其中缓蚀剂包括选自氰尿酸、巴比妥酸及其衍生物、葡萄糖醛酸、方形酸、α-酮酸、腺苷及其衍生物、嘌呤化合物及其衍生物、膦酸衍生物、二氮杂菲/抗坏血酸、甘氨酸/抗坏血酸、烟酰胺及其衍生物、黄酮醇及其衍生物、花青素及其衍生物、黄酮醇/花青素及其组合中的物质，其中清除组合物对于从其上带有残留物的微电子装置上除去所述残留物是有效的。
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