[发明专利]包括碳纳米管织物元件和转向元件的存储器单元及其形成方法

摘要

本发明公开一种可重写的非易失性存储器单元，其包括与碳纳米管织物串联的转向元件。该转向元件优选是二极管，但也可以是晶体管。所述碳纳米管织物在经受适当电脉冲时可逆地改变电阻率。碳纳米管织物的不同电阻率状态可被感测，且可对应于存储器单元的不同数据状态。这种存储器单元的第一存储器级可以在衬底上单片形成，第二存储器级在该第一存储器级上方单片形成，依此类推，形成堆叠存储器级的高密度单片三维存储器阵列。本发明还公开一种形成可重写的非易失性存储器单元的方法以及各种其他方面。

主权项

1.一种存储器单元，其包括：第一导体；转向元件；碳纳米管织物；以及第二导体，其中所述转向元件与所述碳纳米管织物被布置成电串联在所述第一导体与所述第二导体之间，且其中整个所述存储器单元被形成在衬底上。