[发明专利]六氢-环庚三烯并吡唑大麻素调节剂

摘要

本发明涉及六氢-环庚三烯并吡唑大麻素调节剂式(I)化合物及其用于治疗、改善或预防大麻素受体介导的综合征、障碍或疾病的方法。

主权项

1.具有式(I)结构的化合物或其盐、异构体、前药、代谢物或多晶型物：其中式(I)中2-3位之间和3a-8a位之间的虚线代表当X₁R₁存在时两个双键各自的位置；式(I)中3-3a位之间和8a-1位之间的虚线代表当X₂R₂存在时两个双键各自的位置；式(I)中8位和X₄R₄之间的虚线代表双键的位置；X₁不存在，或者为低级烷撑基；X₂不存在，或者为低级烷撑基；其中X₁R₁和X₂R₂仅存在一个；X₃不存在，或者为低级烷撑基、低级烷叉基或-NH-；当8位和X₄R₄之间的虚线不存在时，则X₄不存在，或者为低级烷撑基；当8位和X₄R₄之间的虚线存在时，则X₄不存在；X₅不存在，或者为低级烷撑基；R₁选自氢、烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、低级烷基-磺酰基、芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其中芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基各自在一个或多个位置任选被以下基团取代：卤素、氨基磺酰基、低级烷基-氨基磺酰基、烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、羟基或低级烷氧基(在一个或多个位置任选被卤素或羟基取代)；R₂选自氢、烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、低级烷基-磺酰基、芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其中芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基各自在一个或多个位置任选被以下基团取代：卤素、氨基磺酰基、低级烷基-氨基磺酰基、烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、羟基或低级烷氧基(在一个或多个位置任选被卤素或羟基取代)；R₃为-C(O)-Z₁(R₆)、-SO₂-NR₇-Z₂(R₈)或-C(O)-NR₉-Z₃(R₁₀)；当8位和X₄R₄之间的虚线不存在时，则X₄不存在，或为低级烷撑基，且R₄为羟基、低级烷基、低级烷氧基、卤素、芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其中芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基各自在一个或多个位置任选被以下基团取代：羟基、氧代基、低级烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、低级烷氧基(在一个或多个位置任选被卤素或羟基取代)或卤素；当8位和X₄R₄之间的虚线存在时，则X₄不存在，且R₄为CH-芳基或CH-杂环基，其中芳基或杂环基各自在一个或多个位置任选被以下基团取代：羟基、氧代基、低级烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、低级烷氧基(在一个或多个位置任选被卤素或羟基取代)或卤素；R₅为氢、羟基、氧代基、卤素、氨基、低级烷基-氨基、烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、低级烷氧基(在一个或多个位置任选被卤素或羟基取代)、羧基、羰基烷氧基、氨基甲酰基、氨基甲酰基烷基、芳基、芳氧基、芳基烷氧基或杂环基；R₆为芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，所述基团各自任选被一个或多个以下基团取代：羟基、氧代基、卤素、氨基、低级烷基-氨基、烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、低级烷氧基(在一个或多个位置任选被卤素或羟基取代)、羧基、羰基烷氧基、氨基甲酰基、氨基甲酰基烷基、芳基、芳氧基、芳基烷氧基或杂环基；R₇为氢或低级烷基；R₈为氢、芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其中芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基各自任选被一个或多个以下基团取代：羟基、氧代基、卤素、氨基、低级烷基-氨基、烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、低级烷氧基(在一个或多个位置任选被卤素或羟基取代)、羧基、羰基烷氧基、氨基甲酰基、氨基甲酰基烷基、芳基、芳氧基、芳基烷氧基或杂环基；R₉为氢或低级烷基；R₁₀为氢、芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基，其中芳基、C₃-C₁₂环烷基或杂环基各自任选被一个或多个以下基团取代：羟基、氧代基、卤素、氨基、低级烷基-氨基、烷基(在一个或多个位置任选被卤素、羟基或低级烷氧基取代)、低级烷氧基(在一个或多个位置任选被卤素或羟基取代)、羧基、羰基烷氧基、氨基甲酰基、氨基甲酰基烷基、氨基磺酰基、低级烷基-氨基磺酰基、芳基、芳氧基、芳基烷氧基或杂环基；Z₁和Z₂各自不存在，或为烷基；且Z₃不存在，或为-NH-、-SO₂-或烷基(其中烷基在一个或多个位置任选被以下基团取代：卤素、羟基、低级烷基、低级烷氧基、羧基或羰基烷氧基)。