[发明专利]制造辐射探测器的方法有效
| 申请号： | 200880016958.2 | 申请日： | 2008-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101689556A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | G·维厄;J-M·维尼奥勒;P·罗尔;D·库代;S·迪布瓦 | 申请（专利权）人： | 特里赛尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造包括光敏传感器组件(1，4)、闪烁器(6)的辐射探测器的方法，闪烁器将辐射转换为光敏传感器组件(1，4)能够感测的辐射，闪烁器(6)通过粘合剂结合固定于传感器组件，传感器组件包括基底(4)和数个附加传感器(1)，每个传感器(1)具有两个面(11，12)，第一面(11)与基底结合且第二面(12)与闪烁器(6)结合。该方法在于下述操作是关联的：传感器(1)通过其第二面(12)被沉积于粘合剂膜(13)上；和传感器(1)通过其第一面(11)与基底(4)结合。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 辐射 探测器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造包括光敏传感器组件(1，4)、闪烁器(6)的辐射探测器的方法，闪烁器将辐射转换为光敏传感器组件能够感测的辐射，闪烁器(6)通过粘合剂结合固定于传感器组件(1，4)，传感器组件包括基底(4)和数个附加传感器(1)，每个传感器(1)具有两个相对的面(11，12)，第一面(11)与基底结合且第二面(12)与闪烁器(6)结合，其特征在于，下述操作是关联的：传感器(1)通过其第二面(12)沉积于粘合剂膜(13)上；和传感器(1)通过其第一面(11)与基底(4)结合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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