[发明专利]溅射设备和成膜方法无效
| 申请号： | 200880016991.5 | 申请日： | 2008-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101842512A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 远藤彻哉;爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供溅射设备和成膜方法，能够在诸如V形槽等具有倾斜壁的槽中形成高品质的膜。本发明的溅射设备包括可转动的阴极(102)、可转动的台架(101)和可转动的遮蔽板(105)。所述溅射设备控制阴极(102)、台架(101)和遮蔽板(105)中的至少一方的转动，使得溅射粒子以相对于形成于基板(104)的V形槽的倾斜壁的法线成50°以下的角度入射至所述V形槽。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射设备，其包括：阴极，该阴极具有能够绕第一转轴转动的溅射靶支持面；台架，该台架具有能够绕与所述第一转轴平行地配置的第二转轴转动的基板支持面；以及遮蔽板，该遮蔽板被设置在所述溅射靶支持面与所述基板支持面之间，并且该遮蔽板能够绕所述第一转轴或者所述第二转轴转动；其中，在溅射期间，当具有至少一个V形槽的基板处于被放置在所述基板支持面上时，所述溅射靶支持面、所述基板支持面和所述遮蔽板中的至少一方的转动被控制成使得以相对于所述V形槽的倾斜壁的法线成50°以下的角度入射的溅射粒子入射至形成于放置的所述基板的所述V形槽。
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