[发明专利]有源太阳能电池和制造方法无效

专利信息
申请号: 200880017400.6 申请日: 2008-04-02
公开(公告)号: CN101702951A 公开(公告)日: 2010-05-05
发明(设计)人: 米科·韦内宁 申请(专利权)人: 苏伊诺公司
主分类号: H01L31/02 分类号: H01L31/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 芬兰赫*** 国省代码: 芬兰;FI
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摘要: 发明涉及太阳能电池的领域。具体来讲,本发明涉及用于提高太阳能电池效率的器件和方法及其太阳能电池。本发明的一个方面涉及一种太阳能电池,该太阳能电池包括具有自然带隙NB(NB2、NB3、NB4、NB5、NB6、NB7)的半导体层(11、12、13、14、15、16、17)。所述半导体层还具有至少一个电极(100、101、110、111、120、121),所述至少一个电极被设计为产生所述半导体层中的环境电压V(V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V(r))。因此,进入光子经历修改的NB-V=B带隙(B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7),该带隙这里被称作表观带隙。具有E>B1的光子将被吸收到带隙B中,并且半导体价带中的电子将被激活到导带上,由此引起光电流。根据本发明,调整表观带隙B的能力提供了优化进入光子收集的巨大力量。
搜索关键词: 有源 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池,该太阳能电池包括具有自然带隙NB(NB1、NB2、NB3、NB4、NB5、NB6、NB7)的至少一个第一半导体层(11、12、13、14、15、16、17),所述至少一个第一半导体层被布置为将进入光子转换成电流,其特征在于,至少一个半导体层设置有至少一个电极(100、101、110、111、120、121),所述至少一个电极被布置为提供所述半导体层中的环境电压V(V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V(r)),所述环境电压V被布置为通过B=NB-V将所述自然带隙NB调整成表观带隙B(B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7),具有表观带隙B的所述半导体层被布置为将来自入射光子的第一光子布居转换成光电流,并且留下次级光子布居。
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