[发明专利]半导体基板和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200880017947.6 | 申请日： | 2008-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101681807A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;田中幸一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李 玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是通过在大尺寸的玻璃基板上大面积设置单晶硅层以获得大尺寸的SOI基板。在将分别设置有分离层的多个矩形单晶半导体基板对齐在伪基板上、并通过低温凝结剂固定两个基板之后，将多个单晶半导体基板结合到支承基板；将温度升高至该低温凝结剂不具有接合效果的温度，以隔离伪基板与单晶半导体基板；执行热处理以沿着各个分离层的边界分离单晶半导体基板的各个部分；以及在支承基板上设置单晶半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在多个单晶半导体基板的每一个中形成分离层；通过在第一温度下使用低温凝结剂将所述多个单晶半导体基板设置和固定在伪基板上；将支承基板与所述伪基板交迭从而使所述多个单晶半导体基板置于所述支承基板与所述伪基板之间；将所述多个单晶半导体基板加热至第二温度，以使所述伪基板与所述多个单晶半导体基板分离；以及在所述每个分离层的边界处分离所述多个单晶半导体基板的部分，以在所述支承基板上形成多个单晶半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
