[发明专利]具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200880018195.5 | 申请日： | 2008-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101681930A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 郭海成;王文;孟志国;赵淑云 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李 娜;王忠忠 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 一种低温多晶硅器件和使其具有优异性能的制造技术。采用我们称为搭桥晶粒结构(BG)的掺杂多晶硅线，本征或轻掺杂的沟道被分成多个区域。覆盖包括所述掺杂的线的整个有源沟道的单个栅仍旧被用来控制电流。将该BG多晶硅用作有源层并且确保所述TFT的设计使得电流垂直于所述晶粒的平行线流动，晶界影响可以减小。与常规低温多晶硅TFT相比，所述BG多晶硅TFT的可靠性、均匀性和电性能大大改善。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 搭桥 晶粒 结构 多晶 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：多晶半导体材料的沟道层；通过所述沟道层电连接的第一和第二源/漏区；与所述沟道层电相互作用由此控制所述第一和第二源/漏区之间的传导的控制端；以及在所述沟道层之上和之中的多个横穿导电桥。
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