[发明专利]被隔离的集成电路器件

摘要

一种半导体器件的隔离结构，包括底板隔离区、所述底板隔离区上方的电介质填充的沟槽和从所述沟槽的底部向下延伸至所述底板隔离区的侧壁隔离区。该结构提供半导体衬底中相对深的被隔离的袋，而且限制在所述衬底中必须被蚀刻的沟槽的深度。各种器件，包括金属氧化物半导体场效应晶体管、双极晶体管、二极管、和结型场效应晶体管形成于所述被隔离的袋中。

主权项

一种在半导体衬底中形成的半导体结构，所述衬底不包括外延层，所述半导体结构包括隔离结构，所述隔离结构包括：第一导电类型的底板隔离区，沉没于所述衬底中；填充沟槽，从所述衬底的表面向下延伸，所述填充沟槽包括电介质材料，所述填充沟槽的底部位于所述底板隔离区的上方；和所述第一导电类型的侧壁隔离区，从所述填充沟槽底部向下至少延伸至所述底板隔离区，使得所述侧壁区交叠所述底板隔离区，其中所述底板隔离区、填充沟槽和侧壁区一起包封所述衬底的隔离袋，部分所述衬底邻接第二导电类型的所述隔离结构的外侧，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；位于所述隔离袋中的阱，所述阱至少包括上部和下部，所述上部位于所述下部上方，所述下部具有比所述上部的最大掺杂浓度大的最大掺杂浓度；和金属氧化物半导体场效应晶体管，所述金属氧化物半导体场效应晶体管包括交叠所述衬底的表面并且通过栅极电介质层与所述衬底分离的栅极；包括沟道区的本体区，所述沟道区与所述栅极下面的所述衬底的表面相邻定位；与所述衬底的表面相邻定位的源极区；和与所述衬底的表面相邻定位的漏极区，所述沟道区位于所述源极区和漏极区之间，所述源极，漏极和本体区位于所述阱中。