[发明专利]包括可转变结构的电子器件以及制造该电子器件的方法无效
| 申请号： | 200880018330.6 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101681994A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 罗曼·德卢涅;迈克尔·赞特 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子器件(100)，该电子器件(100)包括：衬底(101)；至少部分地形成在衬底(101)上的第一电极(102)；至少部分地形成在衬底(101)上的第二电极(103)；连接在第一电极(102)和第二电极(103)之间的可转变结构(104)；和连接在第一电极(102)和第二电极(103)之间、且用于将可转变结构(104)与衬底(101)的表面分隔开的间隔元件(105)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 转变 结构 电子器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件(100)，所述电子器件(100)包括：衬底(101)；至少部分地形成在所述衬底(101)上的第一电极(102)；至少部分地形成在所述衬底(101)上的第二电极(103)；连接在所述第一电极(102)和所述第二电极(103)之间的可转变结构(104)；间隔元件(105)，其连接在所述第一电极(102)和所述第二电极(103)之间，且用于将所述可转变结构(104)与所述衬底(101)的表面分隔开。
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