[发明专利]借助对参考单元的数据读取的非易失性多级存储器单元无效
| 申请号： | 200880018419.2 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101681679A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 维沙尔·萨林;荣·盛·赫埃;弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供用于借助对参考单元的数据读取进行非易失性多级存储器单元数据检索的方法、装置、模块及系统。一种方法包含将一数目的数据单元中耦合到选定字线的至少一个数据单元编程到对应于目标状态的目标数据阈值电压(Vt)电平；将一数目的参考单元中耦合到所述选定字线的至少一个参考单元编程到目标参考Vt电平，所述数目的参考单元与所述数目的数据单元交错；基于对所述至少一个参考单元的数据读取确定参考状态；及基于所述至少一个参考单元的改变而改变从所述至少一个数据单元读取的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 借助 参考 单元 数据 读取 非易失性 多级 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种用于操作非易失性多级存储器单元阵列的方法，其包括：将一数目的数据单元中耦合到选定字线的至少一个数据单元编程到对应于目标状态的目标数据阈值电压(Vt)电平；将一数目的参考单元中耦合到所述选定字线的至少一个参考单元编程到目标参考Vt电平，所述数目的参考单元与所述数目的数据单元交错；基于对所述至少一个参考单元的数据读取确定参考状态；及基于所述至少一个参考单元的改变而改变从所述至少一个数据单元读取的状态。
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