[发明专利]用于外腔二极管激光器的半导体光学放大器有效
| 申请号： | 200880018741.5 | 申请日： | 2008-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101779348A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | S·索恰瓦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01S5/14 | 分类号： | H01S5/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施例中，外腔二极管激光器(ECDL)的增益介质包括：增益部分，用于对ECDL中的光能量提供增益操作，所述增益操作由第一电信号控制；被设置成与所述增益部分相邻的半导体光学放大器(SOA)部分，用于响应于第二电信号而放大所增益的光能量；以及被设置在所述增益部分和所述SOA部分之间的沟槽，用作集成镜。还描述并请求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 二极管 激光器 半导体 光学 放大器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：集成结构，所述集成结构具有经由穿过其间的波导进行光学连接的正面和背面，所述集成结构还包括：增益部分，用于对外腔激光器中的光能量提供增益操作，所述增益操作由第一电信号控制，其中，所述增益部分是所述外腔激光器的一部分；被设置成相邻于所述增益部分的半导体光学放大器(SOA)部分，用于响应于第二电信号放大由所述外腔激光器发射的所述光能量；以及被设置在所述增益部分和所述SOA部分之间的沟槽。
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