[发明专利]半导体元件的冷却构造有效
| 申请号： | 200880018848.X | 申请日： | 2008-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101681898A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 吉田忠史;长田裕司;横井丰;山田靖 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H01L25/07;H01L25/18;H02M1/00;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷;南 霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体元件的冷却构造包括：多个半导体元件(1A～1D)；以及电极构造(2)，在电极构造(2)的内部具有冷媒流道(20A，20B)，并且电极构造(2)与多个半导体元件(1)电连接。电极构造(2)包括：交流电极(2A)，在交流电极(2A)的两面上分别安装有半导体元件(1)；以及多个直流电极(2B)，多个直流电极(2B)夹持交流电极(2A)以及分别安装在交流电极(2A)的两面上的半导体元件(1A～1D)；交流电极(2A)和直流电极(2B)分别在其内部具有冷媒流道(20A、20B)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 冷却 构造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的冷却构造，包括：多个半导体元件(1)；以及电极部(2)，在所述电极部(2)的内部具有冷媒流道(20A，20B)，并且所述电极部(2)与多个所述半导体元件(1)电连接。
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