[发明专利]处理装置有效
申请号: | 200880018879.5 | 申请日: | 2008-05-29 |
公开(公告)号: | CN101681867A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 野村正道;小泉建次郎;河西繁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/205;H01L21/26 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明通过悬浮用电磁铁组件(F)的磁吸引力,使支撑被处理体(W)的旋转悬浮体(30)悬浮,通过位置用电磁铁组件(H)的磁吸引力控制旋转悬浮体(30)的水平方向位置,同时通过旋转电磁铁组件(R)的磁吸引力使旋转悬浮体(30)旋转。悬浮用电磁铁组件(F)使磁吸引力向垂直方向下方作用,以非接触地悬吊在处理容器(2)的内壁的方式,使旋转悬浮体(30)悬浮。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种处理装置,其特征在于,包括:容纳被处理体并且由非磁性体构成的处理容器;旋转悬浮体,其配置在所述处理容器的内部,并且支撑所述被处理体;悬浮用电磁铁组件,其配置在所述处理容器的外部,使磁吸引力向垂直方向上方作用,以与所述处理容器的内壁非接触地悬吊的方式,使所述旋转悬浮体悬浮;位置用电磁铁组件,其配置在所述处理容器的外部,使磁吸引力作用于悬浮的所述旋转悬浮体,控制水平方向位置;旋转用电磁铁组件,其配置在所述处理容器的外部,使磁吸引力作用于悬浮的所述旋转悬浮体,并使该旋转悬浮体旋转;和处理机构,其对被支撑在所述旋转悬浮体上的被处理体实施规定的处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880018879.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造