[发明专利]用于CVD反应器中的基板的表面温度的温度控制的装置

摘要

本发明涉及一种具有多个旋转台(2)的CVD反应器，所述旋转台支承于动态气体垫(3)上的旋转驱动衬托器(1)，其中每个气体垫(3)由单独控制的气体流形成，每个气体流，取决于由温度测量装置(4)测量的表面温度，可由单独致动器(5)改变。本发明还包括承载件(6)，承载衬托器(1)并且随着衬托器(1)旋转。共用气体供给管线(7)终端于承载件(6)，其为本发明的关键并且为布置在承载件(6)上的致动器(5)提供形成气体流的气体。

主权项

1、一种CVD反应器，具有承载于旋转受驱动衬托器(1)上的动态气体垫(3)的多个旋转台(2)，每个气体垫(3)由单独控制的气体流形成，每个气体流是借助单独控制元件(5)根据由温度测量装置(4)测量的表面温度可进行变化的，并且具有承载件(6)，所述承载件承载衬托器(1)并且随着衬托器(1)旋转，其特征在于，共用的气体供给管线(7)，所述气体供给管线通向承载器(6)中，采用该气体供给管线，设置在承载件(6)上的控制元件(5)被供给有形成气体流的气体。