[发明专利]半导体电化学传感器有效
| 申请号： | 200880019224.X | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101765766A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | C·R·卡恩;E·万;V·诺维尔 | 申请（专利权）人： | 传感器创新公司 |
| 主分类号： | G01N27/403 | 分类号： | G01N27/403 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈文平;尚继栋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述了与测定样品中的分析物如氢离子的浓度有关的衬底、传感器和系统。其还原和/或氧化电位对分析物的存在敏感的氧化还原活性部分被固定到半导体表面上。固定的其还原和/或氧化电位对该分析物不敏感的氧化还原活性部分可用于参比。使用这些修饰的半导体表面进行的伏安测量可以精确地确定目标样品中分析物的存在和/或浓度。本发明的半导体电化学传感器是坚固的，并且可以不需要校准或再校准。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电化学传感器 | ||
【主权项】：
一种用于检测分析物的存在的传感器，包括：具有其上固定有氧化还原活性部分的表面的半导体电极，其中该氧化还原活性部分显示对所述分析物的存在敏感的氧化电位和/或还原电位。
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