[发明专利]SiC单晶的制造方法无效
| 申请号： | 200880019631.0 | 申请日： | 2008-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101680113A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 坂元秀光 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B9/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 向Si熔融液中添加5至30原子％的Ti和1至20原子％的Sn或1至30原子％的Ge，在保持从Si熔融液内部向Si熔融液表面温度下降的温度梯度的同时，将SiC籽晶保持在石墨坩埚中紧邻Si熔融液表面的下方，由此由SiC籽晶生长SiC单晶。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC单晶的制造方法，其特征在于包括：向Si熔融液中添加Ti和选自Sn与Ge中的一种元素；和在保持从Si熔融液内部向Si熔融液表面温度下降的温度梯度的同时，将SiC籽晶保持在石墨坩埚中紧邻Si熔融液表面的下方，由此由SiC籽晶生长SiC单晶，其中Si熔融液中Ti的添加量为5至30原子％，Si熔融液中Ge的选择性添加量为1至20原子％，和Si熔融液中Sn的选择性添加量为1至30原子％。
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