[发明专利]显示装置及其制造方法

摘要

本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明提供能够抑制光电二极管的输出特性的偏差的有源矩阵基板和使用这种有源矩阵基板的显示装置。使用具备n-TFT(20)和p-TFT(30)和光电二极管(10)的有源矩阵基板(1)。光电二极管(10)具备p层(7)、i层(8)、n层(9)。i层(8)在与p层(7)相邻的位置，具备p型杂质的扩散浓度以与n-TFT(20)的沟道区域(23)的p型杂质的扩散浓度相等的方式设定的p型半导体区域(8a)，在与n层(9)相邻的位置，具备n型杂质的扩散浓度以与p-TFT(30)的沟道区域(33)的n型杂质的扩散浓度相等的方式设定的n型半导体区域(8b)。

主权项

1.一种有源矩阵基板，其具备n型薄膜晶体管、p型薄膜晶体管和光电二极管，其特征在于：所述n型薄膜晶体管具备形成有作为源极区域的n型半导体区域、作为漏极区域的n型半导体区域和作为沟道区域的p型半导体区域的硅膜，所述p型薄膜晶体管具备形成有作为源极区域的p型半导体区域、作为漏极区域的p型半导体区域和作为沟道区域的n型半导体区域的硅膜，所述光电二极管具备形成有p型半导体区域、本征半导体区域和n型半导体区域的硅膜，所述光电二极管的p型半导体区域和n型半导体区域在所述光电二极管的硅膜的面方向上以包夹所述本征半导体区域的方式配置，所述本征半导体区域，在与所述光电二极管的p型半导体区域相邻的位置，具备p型杂质的扩散浓度设定为与所述n型薄膜晶体管的沟道区域的p型杂质的扩散浓度相同的p型半导体区域，在与所述光电二极管的n型半导体区域相邻的位置，具备n型杂质的扩散浓度设定为与所述p型薄膜晶体管的沟道区域的n型杂质的扩散浓度相同的n型半导体区域。