[发明专利]微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板无效
| 申请号： | 200880020112.6 | 申请日： | 2008-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101681833A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 佐藤吉宏;小林岳志;盐泽俊彦;田村大辅 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/316;H01L21/318;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 等离子体 处理 装置 方法 以及 透过 | ||
【主权项】：
1.一种微波等离子体处理装置，其利用微波形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对被处理体实施等离子体处理，该微波等离子体处理装置的特征在于，包括：收容被处理体的腔室；在所述腔室内载置被处理体的载置台；产生微波的微波产生源；向所述腔室内导入由微波产生源产生的微波的波导机构；由导体构成的平面天线，其具有向所述腔室放射被所述波导单元引导的微波的多个微波放射孔；由电介质构成的微波透过板，其构成所述腔室的顶壁，并且使通过所述平面天线的微波放射孔的微波透过；和向所述腔室内供给处理气体的处理气体供给机构，所述微波透过板，在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部，与被处理体的中央部对应的部分形成为平坦部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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