[发明专利]形成低电阻接触的方法无效
| 申请号： | 200880020116.4 | 申请日： | 2008-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101772840A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 朱振甫;刘文煌;朱俊宜;郑兆祯;郑好钧;樊峰旭;段忠 | 申请（专利权）人： | 旭明光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供在半导体元件的GaN层的反转结构表面上制造接触的技术。可形成具有藉由移除一基板而外露之表面的一n-掺杂GaN层，该n-掺杂GaN层原本形成于该基板上。此一表面的晶体结构可具有非常不同于刚沉积的p-掺杂GaN的表面的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电阻 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：一氮化镓GaN材料层，具有藉由移除一基板而外露的一表面，所述GaN层原本形成于所述基板上；及一金属接点，与所述外露表面形成接触以电连接于所述GaN层。
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