[发明专利]多靶溅射源及沉积多层的方法有效
申请号: | 200880020265.0 | 申请日: | 2008-06-13 |
公开(公告)号: | CN101720493A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | H·罗尔曼 | 申请(专利权)人: | OC欧瑞康巴尔斯公司 |
主分类号: | H01J37/34 | 分类号: | H01J37/34;C23C14/35 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李娜;李家麟 |
地址: | 列支敦士*** | 国省代码: | 列支敦士登;LI |
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摘要: | 提供用于溅射的设备和方法,其对于溅射高磁化强度饱和度材料是有用的。在一个实施例中,多个溅射靶布置(1a,1b,2,3a,3b)同心排列,其中可以产生至少部分位地于各个靶布置之上的独立磁场。一个或多个靶布置可包括相应的上部(1a,3a)和下部(1b,3b),这些上部和下部相互分隔开但布置在基本上平行的平面内。方法包括从多个靶布置共溅射以在基底上产生溅射合金层,以及从不同靶布置交替地溅射以在基底上产生多个溅射层。 | ||
搜索关键词: | 溅射 沉积 多层 方法 | ||
【主权项】:
一种溅射源,包括:第一靶布置和第二靶布置,当从上方看时所述第二靶布置放置在第一靶布置周围,至少一个所述靶布置包括上部和下部,所述上部布置在与所述下部的平面分隔开且基本上平行的平面内,所述上部在所述下部上方部分地突出;和用于产生磁场的装置,所述磁场产生装置用于分开产生至少部分地位于所述第一和第二靶布置之上的第一和第二能够单独控制的磁场。
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