[发明专利]具有减少的反向电流的结型二极管有效
| 申请号： | 200880020493.8 | 申请日： | 2008-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101720510A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | S·B·赫纳 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了对硅-锗合金形成的二极管进行退火的方法，该方法使泄漏电流最小化。所述方法包括下述步骤：形成硅-锗合金的半导体柱；在第一温度加热所述柱至少30分钟，然后在高于所述合金的第一温度的第二温度下加热所述柱长达120秒钟。本发明进一步包括多个p-i-n二极管的单片三维存储器阵列，所述p-i-n二极管由硅-锗合金形成，并且已经经受两阶段加热工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 反向 电流 二极管 | ||
【主权项】：
一种形成结型二极管的方法，所述方法包括：a)形成半导体柱，所述柱包含硅和锗的非晶合金；b)在第一温度下加热所述柱至少30分钟；和c)在第二温度下加热所述柱大约120秒或更少，其中所述第二温度高于所述第一温度。
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