[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 200880020528.8 | 申请日： | 2008-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101681971A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 弗拉德斯拉夫·E·鲍格诺夫;马克西姆·A·欧得诺莱多夫 | 申请（专利权）人： | 奥普特冈有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 颜 涛;郑 霞 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 一种在电绝缘的衬底(4)上生成的LED芯片(1)包括第一传导类型的下部电流分配层(5)、第一电极(2)、垂直层状结构(5，6，7)，第一电极(2)和垂直层状结构(5，6，7)被水平地彼此分离地形成在下部电流分配层上，该垂直层状结构包括活性层(6)和位于活性层上方的第二传导类型的上部电流分配层(8)，以及形成在上部电流分配层上的第二电极(3)，电极的几何形状被调整以在电极之间提供低于芯片的电流散布长度的水平距离。根据本发明，垂直沟槽(9)被形成在电极(2，3)之间，该沟槽延伸穿过包括下部电流分配层(5)的芯片(1)，以控制水平电流流动，以便在活性层(6)上面实现均匀的电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种在电绝缘的衬底(4)上生成的LED芯片(1)，所述芯片(1)包括第一传导类型的下部电流分配层(5)、第一电极(2)、垂直层状结构(5，6，7)，所述第一电极(2)和所述垂直层状结构(5，6，7)被水平地彼此分离地形成在所述下部电流分配层上，所述垂直层状结构包括活性层(6)和位于所述活性层上方的第二传导类型的上部电流分配层(8)，以及在所述上部电流分配层上生成的第二电极(3)，所述电极的几何形状被调整以在所述电极之间提供低于所述芯片的电流散布长度的水平距离，所述LED芯片的特征在于垂直沟槽(9)，其被形成在所述电极(2，3)之间，所述沟槽延伸穿过包括下部电流分配层(5)的所述芯片(1)，以控制水平电流流动，以便在所述活性层(6)上实现均匀的电流密度。
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