[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200880021052.X | 申请日： | 2008-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101681885A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 家田义纪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/10;H01L27/115;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 抑制了具有浮置栅极的存储器元件的可靠性的降低。本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件具有：岛状半导体膜，该岛状半导体膜在绝缘表面上形成，且包括沟道形成区和高浓度杂质区；在岛状半导体膜上形成的隧穿绝缘膜；在隧穿绝缘膜上形成的浮置栅极；在浮置栅极上形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成的控制栅极；以及在隧穿绝缘膜与浮置栅极之间形成的第一绝缘膜。第一绝缘膜由浮置栅极的材料的氧化膜形成，因此防止浮置栅极的材料扩散到隧穿绝缘膜中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在绝缘表面上形成的岛状半导体膜，所述岛状半导体膜包括沟道形成区和高浓度杂质区；在所述岛状半导体膜上形成的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜包括第一金属；在所述第二绝缘膜上形成的浮置栅极，所述浮置栅极包括第二金属；在所述浮置栅极上形成的栅绝缘膜；以及在所述栅绝缘膜上形成的控制栅极，其中所述第一金属和所述第二金属是同一种金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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