[发明专利]在晶片解除卡紧期间减少晶片上颗粒数量的设备和方法无效
申请号: | 200880021113.2 | 申请日: | 2008-06-12 |
公开(公告)号: | CN101711425A | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | 赵尚俊;姜肖恩;汤姆·崔;韩太竣 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/304 |
代理公司: | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人: | 樊英如 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 捕获颗粒远离室内的晶片传输区域。第一电极在该区域的一侧上。第二电极在该区域的相对侧上。跨过这些电极连接的电源在这些电极之间建立静电场。该电场将这些颗粒捕获在这些电极上,远离该区域。为了从该室传输该晶片,该第二电极安装该晶片用以处理,该第一电极对着该第二电极限定工艺空间。该区域在空间中,以及该空间的分隔部分将该区域与每个电极分开。通过同时终止颗粒该晶片的等离子处理、将该第二电极接地、施加正DC电势至该第一电极以及将该晶片从该第二电极解除卡紧进入该区域而促使远离该晶片。 | ||
搜索关键词: | 晶片 解除 期间 减少 颗粒 数量 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种在晶片等离子处理之后捕获颗粒离开工艺室中晶片传输区域的设备,该设备包括:第一电极,安装在该工艺室内该传输区域的一侧上;第二电极,安装在该室内在该传输区域的相对侧上,与该第一电极隔开;和与该第一电极连接以在这些电极之间以及跨越该传输区域建立电场的电源,该电场在这些电极的特定一个上捕获某些特定的颗粒从而促使该室中的颗粒离开该传输区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造