[发明专利]用于制造半导体电容器的方法无效
| 申请号： | 200880021685.0 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101689549A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 韩熙;金璟晙;崔棅圭 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨 勇;郑建晖 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体电容器的方法，更具体而言，涉及如下制造半导体电容器的方法：在制造下电极的过程中进行无电镀，以形成下电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体电容器的方法，包括：预备一衬底，在该衬底中形成接触栓；形成下电极；以及形成介电膜和上电极，其中形成下电极包括以下步骤：1)通过使用用于形成下电极的导电膜的材料以形成下电极的导电膜；2)图案化步骤1)中的下电极的导电膜；以及3)在步骤2)的被图案化的下电极的导电膜上进行无电镀，以形成下电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
