[发明专利]具有电子生成与聚焦沟的阴极、离子源及其方法有效
| 申请号： | 200880021715.8 | 申请日： | 2008-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101689488A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 奈尔·J·巴森 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示一种用于离子注入器系统的离子源的具有电子生成与聚焦沟的阴极、离子源及其方法。在一个实施例中，所述阴极包括工作表面，所述工作表面中定位有多个电子生成与聚焦沟。所述离子源的反射极可以类似方式构造。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电子 生成 聚焦 阴极 离子源 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于离子注入器的离子源的阴极，所述阴极包括：工作表面，其中定位有多个电子生成与聚焦沟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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