[发明专利]低功率磁场传感器有效

专利信息
申请号: 200880021801.9 申请日: 2008-05-05
公开(公告)号: CN101688881A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: M·C·杜格;S·D·米拉诺;P·戴维 申请(专利权)人: 阿莱戈微系统公司
主分类号: G01P3/487 分类号: G01P3/487;G01D5/14;G01P13/04
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 邬少俊;王 英
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于低功率应用的磁场传感器包括磁场感测元件,在抽样时段期间所述磁场感测元件提供与所感测的磁场成比例的信号,所述磁场传感器还包括比较器电路,在抽样时段期间,所述比较器电路将磁场信号与阈值电平进行比较以产生表示磁场强度的传感器输出信号。根据双抽样率特征,最初以第一预定抽样率对磁场信号进行抽样,在检测到传感器输出信号的转换之后,在预定时段内以更快的第二预定抽样率对磁场信号进行抽样。根据用户可编程抽样率特征,用户可以以固定的预定抽样率或用户指定的抽样率操作传感器。磁场传感器可以检测旋转磁性物体的速度和/或旋转方向。
搜索关键词: 功率 磁场 传感器
【主权项】:
1、一种磁场传感器,包括:半导体衬底,在所述半导体衬底上提供两个间隔开的磁场感测元件,每个所述磁场感测元件提供和所感测的与磁性物体相关联的磁场成比例的磁场信号;以及配置成以一抽样率对所述两个磁场信号进行抽样并产生表示所述磁性物体的旋转速度的第一传感器输出信号和表示所述磁性物体的旋转方向的第二传感器输出信号的电路。
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