[发明专利]光电二极管自测试有效
申请号: | 200880022085.6 | 申请日: | 2008-05-27 |
公开(公告)号: | CN101688894A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | G·普雷谢尔;T·弗拉克 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘 鹏;谭祐祥 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 光电检测器阵列(142)包括多个光电检测器单元(202),例如雪崩光电二极管(208)和读出电路(210)。阵列自测试器(226)测试单元(202)的暗计数或其他性能特性。该测试结合阵列(142)的制造而执行或者在将阵列(142)安装到检测系统(100)中之后执行。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 测试 | ||
【主权项】:
1.一种光电检测器,包括:半导体衬底;在该衬底上制造的多个光电检测器单元(202),每个单元包括雪崩光电二极管(208)和读出电路(210);测试器(226),其在所述衬底上制造并且被配置成测试这些单元。
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