[发明专利]信号转换电路以及轨对轨电路有效

专利信息
申请号: 200880022122.3 申请日: 2008-06-25
公开(公告)号: CN101689838A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 增田诚 申请(专利权)人: 哉英电子股份有限公司
主分类号: H03F3/34 分类号: H03F3/34;H03F3/45
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 信号转换电路以及轨对轨电路。本发明的一个实施方式的信号转换电路(2)具有差动放大部(10)以及源极跟随部(20)。差动放大部(10)具有:串联连接的第1及第2电阻器(11、12)、串联连接的第3及第4电阻器(13、14)、第1及第2PMOS晶体管(15、16)、以及电流源(18),源极跟随部(20)具有第1及第2NMOS晶体管(22、24)。该第1NMOS晶体管(22)的源极连接在第1及第2电阻器(11、12)之间,第2NMOS晶体管(24)的源极连接在第3及第4电阻(13、14)之间。
搜索关键词: 信号 转换 电路 以及
【主权项】:
1.一种信号转换电路,该信号转换电路在第1输入端子及第2输入端子上输入差动电压信号,对该差动电压信号的同相电压电平进行转换,从第1输出端子及第2输出端子输出对上述同相电压电平进行转换后的差动电压信号,其特征在于,该信号转换电路具有:第1及第2阻抗元件,其串联连接在低电位侧电源与上述第1输出端子之间;第3及第4阻抗元件,其串联连接在上述低电位侧电源与上述第2输出端子之间;第1PMOS晶体管,其具有与上述第1输出端子连接的漏电极、与上述第2输入端子连接的栅电极、以及源电极;第2PMOS晶体管,其具有与上述第2输出端子连接的漏电极、与上述第1输入端子连接的栅电极、以及源电极;第1NMOS晶体管,其具有连接在上述第1及第2阻抗元件之间的源电极、与上述第1输入端子连接的栅电极、以及与高电位侧电源连接的漏电极;第2NMOS晶体管,其具有连接在上述第3及第4阻抗元件之间的源电极、与上述第2输入端子连接的栅电极、以及与上述高电位侧电源连接的漏电极;以及电流源,其设置在上述第1PMOS晶体管的源电极以及上述第2PMOS晶体管的源电极与上述高电位侧电源之间,产生恒定电流。
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