[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法和灯有效
| 申请号： | 200880022134.6 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101689592A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 加治亘章;三木久幸 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C14/06;C23C16/34;H01L21/203;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田 欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在基板上设置有取向特性良好的中间层、且在该中间层上具有结晶性良好的III族氮化物半导体的具有优异的发光特性和生产率的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯。该III族氮化物半导体发光元件，是在基板(11)上至少层叠有由III族氮化物化合物形成的中间层(12)、且在该中间层12上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)而成的III族氮化物半导体发光元件，在中间层(12)的结晶组织中，含有采用峰分离方法将中间层(12)的X射线摇摆曲线分离成半值宽为720弧度秒以上的宽成分、和窄成分的情况下的与宽成分对应的无取向成分，中间层(12)的结晶组织中的无取向成分的比例以中间层(12)的面积比计为30％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种III族氮化物半导体发光元件，是在基板上至少层叠有由III族氮化物化合物形成的中间层，并在该中间层上依次层叠具有基底层的n型半导体层、发光层和p型半导体层而成的III族氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述中间层的结晶组织中含有采用峰分离方法将所述中间层的X射线摇摆曲线分离成半值宽为720弧度秒以上的宽成分、和窄成分的情况下的与所述宽成分对应的无取向成分，所述中间层的结晶组织中的所述无取向成分的比例以在所述中间层中的面积比计为30％以下。
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