[发明专利]使用介电积层的激光辅助蚀刻法提供经布图处理的内嵌导电层的方法有效
| 申请号： | 200880022309.3 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101689482A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李永刚 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民;袁 逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种提供经布图处理的导电层的方法。该方法包括：提供包含绝缘材料的积层；根据所要提供的经布图处理的导电层的预定图案对积层的选定部分进行激光照射，该激光照射包括使用具有比绝缘材料中至少一部分化学键的键能更高的光子能以形成与预定图案相对应的积层的预定激光削弱部分；去除积层的激光削弱部分以形成与预定图案对应的凹槽；并用导电材料填充这些凹槽以形成经布图处理的导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 介电积层 激光 辅助 蚀刻 提供 经布图 处理 导电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提供经布图处理的导电层的方法，包括：提供包含绝缘材料的积层；根据拟设置的经布图处理的导电层的预定图案对所述积层的选定部分进行激光照射，所述激光照射包括使用光子能高于所述绝缘材料中至少一部分化学键的键能的激光束根据所述预定图案形成所述积层的预定激光削弱部分；去除所述积层的所述激光削弱部分，形成根据所述预定图案的凹槽；用导电材料填充所述凹槽，形成所述经布图处理的导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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