[发明专利]具有单一平面天线的电感耦合双区域处理室无效
| 申请号： | 200880022326.7 | 申请日： | 2008-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101720500A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 桑凯特·P·圣 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人： | 樊英如 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种双区域等离子体处理室。该等离子体处理室包括具有适于在该处理室中支撑第一衬底的第一支撑表面的第一衬底支柱和具有适于在该处理室中支撑第二衬底的第二支撑表面的第二衬底支柱。流体连通于一个或多个气体分配构件的一个或多个气体源向毗邻该第一衬底支柱的第一区域和毗邻该第二衬底支柱的第二区域供应处理气体。适于将射频能量电感耦合到该处理室内部并将该处理气体在该第一和第二区域中激励到等离子态的射频(RF)天线。该天线位于该第一衬底支柱和该第二衬底支柱之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单一 平面 天线 电感 耦合 区域 处理 | ||
【主权项】：
一种双区域等离子体处理室，包含：具有适于在该处理室中支撑第一衬底的第一支撑表面的第一衬底支柱；具有适于在该处理室中支撑第二衬底的第二支撑表面的第二衬底支柱；一个或多个气体源，其流体连通于一个或多个气体分配构件，该一个或多个气体源向毗邻该第一衬底支柱的第一区域和毗邻该第二衬底支柱的第二区域供应处理气体；以及适于将射频能量电感耦合到该处理室内部并将该处理气体在该第一和第二区域中激励到等离子态的射频(RF)天线，其中该天线位于该第一衬底支柱和该第二衬底支柱之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
