[发明专利]纳米线光电二极管和制作纳米线光电二极管的方法有效

专利信息
申请号: 200880022465.X 申请日: 2008-06-25
公开(公告)号: CN101689581A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: S·-Y·王;M·谭;A·布拉特科夫斯基;R·S·威廉斯;N·科巴亚施 申请(专利权)人: 惠普开发有限公司
主分类号: H01L31/10 分类号: H01L31/10;H01L31/101
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李 娜;王洪斌
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了一种基于纳米线的光电二极管(100,200,300,400)。所述光电二极管包括具有锥形第一端部(106,206,306,406)的第一光波导(102,202,302,402)、具有锥形第二端部(110,210,310,410)的第二光波导(104,204,304,404)以及至少一个包括至少一种半导体材料、以桥接配置连接所述第一端部和第二端部(108,112,208,212,308,312,408,412)的纳米线(114,214,314,414)。还公开了制作所述光电二极管的方法。
搜索关键词: 纳米 光电二极管 制作 方法
【主权项】:
1.一种纳米线光电二极管(100,200,300,400),包括:包括锥形第一端部(106,206,306,406)的第一光波导(102,202,302,402),所述第一端部包括第一尖端(108,208,308,408);包括锥形第二端部(110,210,310,410)的第二光波导(104,204,304,404),所述第二端部包括与所述第一尖端隔开的第二尖端(112,212,312,412);以及包括至少一种半导体材料的至少一个纳米线(114,214,314,414),所述纳米线以桥接配置连接所述第一尖端和所述第二尖端。
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