[发明专利]纳米线光电二极管和制作纳米线光电二极管的方法有效
申请号: | 200880022465.X | 申请日: | 2008-06-25 |
公开(公告)号: | CN101689581A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | S·-Y·王;M·谭;A·布拉特科夫斯基;R·S·威廉斯;N·科巴亚施 | 申请(专利权)人: | 惠普开发有限公司 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;H01L31/101 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李 娜;王洪斌 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了一种基于纳米线的光电二极管(100,200,300,400)。所述光电二极管包括具有锥形第一端部(106,206,306,406)的第一光波导(102,202,302,402)、具有锥形第二端部(110,210,310,410)的第二光波导(104,204,304,404)以及至少一个包括至少一种半导体材料、以桥接配置连接所述第一端部和第二端部(108,112,208,212,308,312,408,412)的纳米线(114,214,314,414)。还公开了制作所述光电二极管的方法。 | ||
搜索关键词: | 纳米 光电二极管 制作 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纳米线光电二极管(100,200,300,400),包括:包括锥形第一端部(106,206,306,406)的第一光波导(102,202,302,402),所述第一端部包括第一尖端(108,208,308,408);包括锥形第二端部(110,210,310,410)的第二光波导(104,204,304,404),所述第二端部包括与所述第一尖端隔开的第二尖端(112,212,312,412);以及包括至少一种半导体材料的至少一个纳米线(114,214,314,414),所述纳米线以桥接配置连接所述第一尖端和所述第二尖端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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