[发明专利]用于在包含密间隔线的结构上形成具增加可靠度的层间介电材料的技术有效
| 申请号： | 200880022651.3 | 申请日： | 2008-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101755333A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | F·福伊斯特尔;K·弗罗贝格;C·彼得斯 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 去除通过SACVD沉积的层间介电材料(207，307)的过量材料，可利用此沉积技术之间隙填充能力，然而，另一方面，可减少对此材料的负面影响。于另一态样，以SACVD方式沉积层间介电材料(207，307)以前，可形成一种缓冲材料(360)，如二氧化硅，因此当层间介电材料(207，307)沉积于具有不同高本征应力水平的介电层时，于沉积工艺期间会产生加强的一致性(enhanced uniformity)。因此，于同时维持SACVD沉积所提供的优点的情况下可加强层间介电材料(207，307)的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 包含 间隔 结构 形成 增加 可靠 层间介电 材料 技术 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在半导体器件(200，300)的多个电路元件(204，304)上形成蚀刻停止材料(209，309A，309B)，该电路元件(204，304)包括紧密间隔的线特征；通过设计成实质上填充该紧密间隔的线特征(204，304)间所形成的间隔(211)的第一沉积工艺，而在该电路元件(204，304)与该蚀刻停止材料(209，309A，309B)上形成第一层间介电材料(207，307)；去除该第一层间介电材料(207，307)的一部分，以维持该间隔(211)至少部分地被填充有该第一层间介电材料(207R，307R)；以及在该第一层间介电材料(207R，307R)上形成第二层间介电材料(207A)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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