[发明专利]重掺杂衬底中的扩散控制无效
申请号: | 200880022820.3 | 申请日: | 2008-06-26 |
公开(公告)号: | CN101689487A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | R·J·法尔斯特;L·莫伊拉吉;D·M·李;赵燦来;M·拉瓦尼;V·V·沃龙科夫 | 申请(专利权)人: | MEMC电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/322 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;于 静 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明一般涉及一种抑制在外延硅晶片的衬底/外延层界面附近的硅自填隙式扩散的方法,所述外延硅晶片具有重掺杂的硅衬底和轻掺杂的外延层。通过包括位错环的硅自填隙子汇层来抑制填隙子向所述外延层的扩散。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 衬底 中的 扩散 控制 | ||
【主权项】:
1.一种制备外延硅晶片的方法,所述方法包括以下步骤:在高掺杂的单晶硅衬底中形成位错环的层,所述高掺杂的硅衬底为通过直拉法生长的锭的切片,所述高掺杂的硅衬底具有中心轴、通常垂直于所述中心轴的前表面和后表面、连接所述前表面和后表面的周边边缘、从所述中心轴延伸到所述周边边缘的半径、以及小于5mΩ·cm的电阻率,其中所述位错环没有延伸到所述前表面;以及在所述高掺杂的硅衬底的所述前表面上沉积外延硅层以形成所述外延硅晶片,所述外延层具有大于约10mΩ·cm的电阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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