[发明专利]重掺杂衬底中的扩散控制无效

专利信息
申请号: 200880022820.3 申请日: 2008-06-26
公开(公告)号: CN101689487A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: R·J·法尔斯特;L·莫伊拉吉;D·M·李;赵燦来;M·拉瓦尼;V·V·沃龙科夫 申请(专利权)人: MEMC电子材料有限公司
主分类号: H01L21/22 分类号: H01L21/22;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/322
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;于 静
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明一般涉及一种抑制在外延硅晶片的衬底/外延层界面附近的硅自填隙式扩散的方法,所述外延硅晶片具有重掺杂的硅衬底和轻掺杂的外延层。通过包括位错环的硅自填隙子汇层来抑制填隙子向所述外延层的扩散。
搜索关键词: 掺杂 衬底 中的 扩散 控制
【主权项】:
1.一种制备外延硅晶片的方法,所述方法包括以下步骤:在高掺杂的单晶硅衬底中形成位错环的层,所述高掺杂的硅衬底为通过直拉法生长的锭的切片,所述高掺杂的硅衬底具有中心轴、通常垂直于所述中心轴的前表面和后表面、连接所述前表面和后表面的周边边缘、从所述中心轴延伸到所述周边边缘的半径、以及小于5mΩ·cm的电阻率,其中所述位错环没有延伸到所述前表面;以及在所述高掺杂的硅衬底的所述前表面上沉积外延硅层以形成所述外延硅晶片,所述外延层具有大于约10mΩ·cm的电阻率。
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