[发明专利]构件和制造构件的方法有效
| 申请号： | 200880022824.1 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101687629A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 沃尔弗拉姆·盖格;尤维·布伦格 | 申请（专利权）人： | 诺思罗普·格鲁曼·利特夫有限责任公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;陈立航 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种构件(2)尤其是微机械、微电子机械或微光电机械构件(2)以及制造这种构件的方法，其中构件(2)具有以层状结构嵌入的活动结构(27)。为了能够更好地接触活动结构(27)的电极(5)，通过将具有不同的第一蚀刻深度(D1)和第二蚀刻深度(D2)的第一凹部(14)和第二凹部(15)蚀刻到第一层组件(10)的覆盖层(13)中，来形成条状导体桥(34)，其中第一层组件(10)还包括基底(11)和绝缘层(12)。较深的凹部(14)用于隔离条状导体桥(34)，而较浅的凹部(15)提供活动结构(27)用的移动空间，其中由条状导体桥(34)来桥接所述移动空间。 | ||
| 搜索关键词： | 构件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造构件(2)尤其是微机械、微电子机械或微光电机械构件的方法，所述方法包括以下步骤：-形成第一层组件(10)，所述第一层组件(10)具有第一基底(11)、位于所述第一基底(11)上的第一绝缘层(12)以及位于所述第一绝缘层(12)上的至少部分导电的覆盖层(13)，-在所述覆盖层(13)中形成第一凹部(14)和第二凹部(15)，其中所述第一凹部(14)具有第一蚀刻深度，所述第二凹部(15)具有比所述第一蚀刻深度浅的第二蚀刻深度，并且所述第一蚀刻深度至少等于所述覆盖层(13)的厚度，-将至少部分导电的结构层(26)施加至所述覆盖层(13)，以使所述结构层(26)至少部分地邻接所述覆盖层(13)。
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