[发明专利]异质结构场效应晶体管、包括异质结构场效应晶体管的集成电路以及用于制造异质结构场效应晶体管的方法

摘要

一种异质结构场效应晶体管(HFET)，可以包括由第一半导体材料制成的第一层(3)和由第二半导体材料制成的第二层(4)。在第一层和第二层相互接触之处可以提供界面(8)，沿着所述界面(8)，二维电子气(2DEG)(9)被形成在与该界面直接相邻的第一层的一部分中。晶体管还进一步包括：栅极结构(6)，其用于控制沟道的电导；衬底层(1)，其由衬底半导体材料制成；以及电介质层(2)，其将第一层与衬底层分隔开。接触(7)可以包括在衬底层和第一层之间的电连接(70)。电连接可以包括穿过电介质层的通道(22)，所述通道填充有与第一层电连接的导电材料。

主权项

1.一种异质结构场效应晶体管，包括：第一接触(5)和第二接触(7)；异质结结构(3、4、8、9)，所述异质结结构包括：由第一半导体材料制成的第一层(3)；由第二半导体材料制成的第二层(4)，以及界面(8)，在所述界面(8)处，所述第一层与所述第二层相互接触，并且沿着所述界面(8)，二维电子气(9)被形成在与所述界面直接相邻的所述第一层的一部分中，用于将电信号从所述第一接触传送到所述第二接触，或者将电信号从所述第二接触传送到所述第一接触；所述晶体管进一步包括：栅极结构(6)，用于在所述第一接触与所述第二接触之间，控制穿过所述异质结结构的路径的电导；衬底层(1)，由衬底半导体材料来制成；以及电介质层(2)，将所述第一层与所述衬底层分隔开；在所述晶体管中，所述第二接触包括在所述衬底层与所述第一层之间的电连接(70)，所述电连接包括穿过至少所述电介质层的通道(22)，所述通道填充有与所述第一层电连接的导电材料，所述导电材料具有比所述第一半导体材料更高的传导率。