[发明专利]制备高纯度二氧化硅颗粒的方法无效
| 申请号： | 200880023455.8 | 申请日： | 2008-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101688068A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | K·舒马赫;C·舒尔策-伊斯福特 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限责任公司 |
| 主分类号： | C09C1/30 | 分类号： | C09C1/30;C03C3/06;C01B33/18;C03C12/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于 辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本申请公开了制备二氧化硅颗粒的方法，该二氧化硅颗粒的比表面积小于1m2/g，并且杂质比例小于50ppm，其中：a)使用装填密度为15至190g/l的二氧化硅粉末：b)将所述二氧化硅粉末压实为结块，随后将所述结块压碎，结块碎片的装填密度为210至800g/l：并且c)用一种或多种反应性化合物在400至1100℃下处理所述结块碎片。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纯度 二氧化硅 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
1.制备二氧化硅颗粒的方法，该二氧化硅颗粒的比表面积小于1m2/g，并且杂质比例小于50ppm，其中a)使用装填密度为15至190g/l的二氧化硅粉末，b)将所述二氧化硅粉末压实为结块，随后将所述结块压碎，结块碎片的装填密度为210至800g/l，并且c)用一种或多种反应性化合物在400至1100℃下处理所述结块碎片。
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