[发明专利]绝缘膜材料、多层布线基板及其制造方法和半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200880023571.X | 申请日： | 2008-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101689412A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 小林靖志;中田义弘;尾崎史朗 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01B3/30 | 分类号： | H01B3/30;C08L83/16;H05K3/46;H01L23/12;H01L21/312 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小瑛;李英艳 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够适合用于形成低介电常数且高强度的绝缘膜的绝缘膜材料、能降低布线间的寄生电容的多层布线基板及其制造方法，和高速且可靠性高的半导体装置及其制造方法。本发明的绝缘膜材料的特征在于，至少含有具有由下述结构式(1)表示的结构的聚碳硅烷化合物，其中，在前述结构式(1)中，R1在n个重复单元中相互相同或者不同，表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；R2在n个重复单元中相互相同或者不同，表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；n表示5～5000的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 材料 多层 布线 及其 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘膜材料，其特征在于，至少含有具有用下述结构式(1)表示的结构的聚碳硅烷化合物，![]()
结构式(1)其中，所述结构式(1)中，R1在n个重复单元中相互相同或者不同，并表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；R2在n个重复单元中相互相同或者不同，并表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；n表示5～5000的整数。
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