[发明专利]用于在扫描窗中使用横向分布的激光脉冲来处理半导体结构的系统和方法

摘要

本发明提供使用一系列激光脉冲来处理半导体衬底上或半导体衬底内的结构的系统和方法。在一个实施例中，偏转器经配置以在处理窗内选择性地将所述激光脉冲偏转。在所述半导体衬底上扫描所述处理窗，使得多个横向间隔的行的结构同时穿过所述处理窗。在扫描所述处理窗时，所述偏转器在所述处理窗内在所述横向间隔的行中选择性地将所述系列激光脉冲偏转。因此，可在单次扫描中处理多个行的结构。

主权项

一种用于处理半导体衬底上或半导体衬底内的结构的方法，所述方法包括：将一系列激光脉冲提供到第一偏转器，所述第一偏转器经配置以在处理窗内选择性地将所述激光脉冲偏转；在所述半导体衬底上扫描所述处理窗，在扫描所述处理窗时，多个横向间隔的行的结构同时穿过所述处理窗；以及在所述处理窗内在所述多个横向间隔的行中选择性地将所述系列激光脉冲偏转，其中将第一激光脉冲偏转到所述横向间隔的行中的第一行，且将第二激光脉冲偏转到所述横向间隔的行中的第二行，且其中在将所述第一激光脉冲偏转到所述第一行之后的100μs内将所述第二激光脉冲偏转到所述第二行。