[发明专利]有机发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 200880023750.3 | 申请日： | 2008-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101690399B | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 山内掌吾;岩崎正刚 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种有机发光元件的制造方法，其中，所述有机发光元件是依次具有阳极、包含电子接受性有机化合物的层、包含有机化合物的空穴输送层、包含高分子化合物的发光层和阴极，且该包含电子接受性有机化合物的层与该阳极和该空穴输送层接触的有机发光元件，在所述制造方法中，使用含有该电子接受性有机化合物和有机溶剂的组合物制作膜，并使该膜熔化而形成该包含电子接受性有机化合物的层。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有机发光元件的制造方法，其中，所述有机发光元件依次具有阳极、包含电子接受性有机化合物的层、包含有机化合物的空穴输送层、包含高分子化合物的发光层和阴极，且该包含电子接受性有机化合物的层与该阳极和该空穴输送层接触，在所述制造方法中，使用含有该电子接受性有机化合物和有机溶剂的组合物制作膜，并使该膜熔化而形成该包含电子接受性有机化合物的层，在下述条件下测定的电子接受性有机化合物的氧化还原半波电位E11/2满足E11/2≥+0.20V，条件：饱和甘汞电极(SCE)；包含0.1mol/L四丁基四氟硼酸铵(TBA·BF4)作为支持电解质的乙腈溶剂；温度20～22℃；电压扫描速度10～20mV/s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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