[发明专利]改进的外延材料的制造方法有效
| 申请号： | 200880023838.5 | 申请日： | 2008-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101730926A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 尚塔尔·艾尔纳;苏巴实·马哈詹;兰詹·达塔 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司;亚利桑那董事会代表亚利桑那大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供用于制造具有低缺陷密度的基本上连续的III族氮化物半导体材料层的方法。该方法包括在基础衬底上外延生长成核层、热处理所述成核层和外延生长不连续的掩蔽层。概述的这些方法通过掩蔽、湮灭和聚结促进了缺陷的减少，由此制得具有低缺陷密度的半导体结构体。本发明可应用于大范围的半导体材料，包括元素半导体如Si(硅)与应变Si(sSi)和/或Ge(锗)的组合，以及化合物半导体如II-VI族和III-V族化合物半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 外延 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生长具有减少的缺陷和位错的半导体材料层的方法，所述方法包括：形成多个包含晶种材料的岛状结构体，所述结构体以无规律图案排列在基础衬底上，对所述基础衬底施用掩蔽材料，和外延生长所述半导体材料，所述半导体材料的生长主要从未被所述掩蔽材料覆盖的所述岛状结构体的所述晶种材料上开始，然后继续生长，从而形成基本上连续的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
