[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200880024210.7 | 申请日： | 2008-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101802986A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 高桥哲朗;藤野丰;户岛宏至;久保敦史;康松润;P·芬泽克;濑川澄江 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：在处理容器内配置被处理体；在所述处理容器内形成等离子体生成空间；和在至少使被处理体的表面与该等离子体生成空间接触的状态下对被处理体的表面实施等离子体处理，在实施所述等离子体处理时，使等离子体生成空间与被处理体的背面侧的至少外周部分接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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