[发明专利]有机半导体元件的制造方法、有机半导体元件及有机半导体装置无效

专利信息
申请号: 200880024251.6 申请日: 2008-07-07
公开(公告)号: CN101743628A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 山手信一 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 朱丹
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的在于提供一种可防止活性层的电特性的降低且可形成已被形成为具有良好的图案形状的图案的活性层的有机半导体元件的制造方法。为了实现该目的,本发明的有机半导体元件的制造方法具有:将层叠有支承薄膜及所述活性层的层叠体与将形成所述活性层的元件基板贴合,使得所述层叠体的所述活性层与该元件基板相接的工序;在所述支承薄膜中的与所述活性层相反侧的面上形成具有规定的图案形状的掩模的工序;和通过除去没有形成所述掩模的区域的所述层叠体而将所述活性层图案化的工序。
搜索关键词: 有机半导体 元件 制造 方法 装置
【主权项】:
一种有机半导体元件的制造方法,其特征在于,所述有机半导体元件具有包括含有有机半导体化合物的半导体膜的活性层,所述制造方法包括:将层叠有支承薄膜及所述活性层的层叠体与将形成所述活性层的元件基板贴合,使得所述层叠体的所述活性层与该元件基板相接的工序;在所述支承薄膜中的与所述活性层相反侧的面上形成具有规定的图案形状的掩模的工序;和,通过除去没有形成所述掩模的区域的所述层叠体而将所述活性层图案化的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社,未经住友化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880024251.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top